Qualcomm Snapdragon 800 sạc nhanh hơn, hỗ trợ giọng nói

Chưa đầy một tuần trước, Qualcomm đã phô diễn Quick C-harge 1.0, công nghệ giúp điện thoại của bạn sạc nhanh hơn 40% so với thông thường. Tuy vậy hôm nay (ngày 21/2), hãng đã tiếp tục giới thiệu Quick C-harge 2.0 và cả công cụ hỗ trợ giọng nói mới của mình.

Trang công nghệ PhoneArena cho biết cả 2 công nghệ này sẽ được tích hợp vào chip Snapdragon 800 mạnh mẽ nhất của hãng, dự kiến sẽ có mặt trên thị trường vào nửa cuối năm 2013.

Qualcomm trang bị cho Snapdragon 800 thông số kĩ thuật khá ấn tượng, với 4 nhân Krait 400 tốc độ 2.3GHz có khả năng chơi video độ phân giải UltraHD, chơi các game 3D khủng, âm thanh vòm 7.1 và khả năng chụp ảnh tối đa lên đến 55MP. Để tưởng tượng được sức mạnh của Snapdragon 800, chỉ cần Snapdragon 600 "yếu" hơn cũng đã đủ để HTC One ghi 12.000 điểm trên phần mềm đo hiệu năng Quadrant và gần 23.000 điểm trên phần mềm Antutu, vượt xa mọi thiết bị trước đó.

Trong khi đó, công nghệ Quick C-harge 2.0 sẽ tăng tốc độ sạc lên 75% so với các thiết bị thông thường. Qualcomm cho biết một thiết bị trước đây cần 7 tiếng để sạc đầy, nay chỉ còn 3 tiếng với Quick C-harge 2.0. Hơn nữa, các máy được trang bị Quick C-harge 2.0 cũng có thể sử dụng bộ sạc của Quick C-harge 1.0, nhưng dù sao tốc độ cũng sẽ bị giới hạn chỉ còn tương đương với phiên bản 1.0.

Công nghệ lớn tiếp theo mà Snapdragon 800 sở hữu là Snapdragon Voice Activation, giúp bạn đánh thức máy từ chế độ chờ hoặc chế độ máy bay bằng khẩu lệnh. Bạn sẽ có thể sử dụng tính năng này bất cứ lúc nào, và nó tiêu tốn rất ít điện năng.